Le système de dépôt du vide CsI950 poussé est exclusivement conçu pour CsI et métallisation de TII sur des écrans de scintillation dans un environnement de vide extrêmement poussé. Les scintillators de CsI 200~600µm dans des gammes d'épaisseur avec l'uniformité élevée de la représentation d'épaisseur et d'éclat :
Résolution spatiale élevée Ultra- de la représentation ;
Réponse rapide pour une représentation plus pointue ;
Principaux secteurs d'image de bord-à-bord de classe ;
Optique absorbez les couches ou les couches de réflecteur ;
Basse dose patiente de rayon X.
Substrats appliqués : Verre de TFT, plat optique de fibre, plat d'Amorphe-carbone, plat en aluminium
Application : pour le contrôle et l'inspection de sécurité, l'éducation de physique des hautes énergies, la détection nucléaire de radiaton et les imageries médicales : examen de coffre, mamography, oral inter et panoramique dentaires.
Avantages techniques
La technologie royale fournit la machine de 2 modèles : CsI950 et CsI950A+
Le CsI950A+ modèle est mis à jour basé sur la 1ère génération CsI950, ses avantages :
1. Efficacité
- Le modèle de CsI-950A+ est avec la structure de support 2 rotatoire basée sur la génération - un modèle CsI-950.
- Double-capacité pour le substrat maximal de taille : 500 x400mm.
2. Répétabilité et reproductibilité
- Par le système de contrôle précisé élevé de paramètre,
- Logiciel et programme à régulation de processus automatisés,
- Opération conviviale.
3. Fiabilité
-24/7 opération directe de jours ;
- Contrôleur d'épaisseur de film d'Inficon pour surveiller l'épaisseur de film en ligne.
- Exactitude de contrôle de la température : ℃ ±1, arrangement à plusieurs étages, enregistrement de données automatique de la température et contrôle
- Supports rotatoires équipés du servomoteur pour de grande précision et la stabilité.
4. Sécurité
pompe à vide à hauteur : La pompe moléculaire de suspension magnétique, avec le dispositif de soufflement de gaz d'azote pour éviter le matériel de risque soit exposée dans le ciel ;
- Toutes les électrodes sont équipées des douilles de protection de sécurité.
Paramètres techniques
| Description | CsI-950 |
CsI-950A+
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Chambre de dépôt (millimètres)
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φ950 X H1350 |
φ950 X H1350
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| Supports rotatoires de chargement | 1 | 2 |
| Sources d'évaporation | 2 |
2
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| Méthode de chauffage |
Lampe de tungstène d'iode 1800℃ maximal |
Lampe de tungstène d'iode Maximum 1800℃ |
| Pression de vide d'Ultimated (PA) | 8.0×10-5Pa | 8.0×10-5Pa |
| Pompe moléculaire de suspension magnétique | 1 x 3400L/S |
1 x 3400L/S
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| Les racines pompent | ³ /h de 1 x de 490m |
³ /h de 1 x de 490m
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| Vane Pump rotatoire | ³ /h de 1 x de 300m |
³ /h de 1 x de 300m
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| Contrôleur de dépôt | Control-X 1 de quartz |
Control-X 1 de quartz
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| Puissance (kilowatts) |
Maximum approximativement 62 Moyenne approximativement 32 |
Maximum approximativement 65 Moyenne approximativement 35 |
