October 11, 2022
Modèle de machine : RT1200-FCEV
Technologie : avec dépôt par pulvérisation magnétron PECVD + PVD : cibles Si, Cr, carbone, pour générer un champ magnétique fermé déséquilibré pour une haute densité, une grande uniformité et une excellente résistance à la corrosion.
Temps de construction : 2016
Lieu : Shanghai, Chine
Installation et test : 3 jours
Mise en service & Formation : 7 jours
CetteRT1200-FCEVLe système de dépôt par pulvérisation magnétron sous vide poussé est un modèle sur mesure qui fait référence au modèle Multi950-R&D que nous avons construit pour l'Université de Shanghai.
Il est conçu avec une chambre octale, des performances flexibles et fiables sont largement utilisées dans diverses applications.Il satisfait les processus de revêtement nécessitant plusieurs couches métalliques différentes : Ta, Cr, Si, Graphite, Al, Cr, Cu, Au, Ag, Ni, Sn, SS et de nombreux autres métaux non magnétiques ;plus l'unité de source d'ions, améliorez efficacement l'adhérence des films sur différents matériaux de substrat grâce à ses performances de gravure au plasma et au processus PECVD pour déposer certaines couches à base de carbone.
Structure de l'équipement : Orientation verticale, structure octogonale, 2 portes (ouverture avant et arrière) pour un accès facile.
Caractéristiques de l'équipement :
Système respectueux de l'environnement, pas de déchets dangereux.
Intégration totale, conception modulaire
Commercialisé et standardisé pour la production industrielle de masse
Source d'ions extrêmement efficace pour une forte adhérence et une ionisation élevée.
Opération facile : écran tactile + contrôle PLC, opération à une touche
Avec le logiciel Royal Tech, les paramètres de processus peuvent être programmés, enregistrés et reproduits.
Conception spéciale du système carrousel pour un dépôt très uniforme.
Productivité et stabilité élevées, travail 24h/24 et 7j/7.
Flexible, s'adapte à différentes tailles de plaques, pour revêtement simple ou double face.
Contactez-nous s'il vous plaît pour plus d'informations.