Metal le système de pulvérisation de MF de décoration de graphite/l'usine de métallisation sous vide dépôt du graphite PVD
Le système de pulvérisation de MF de décoration de graphite en métal est une machine émettrice multiple intégrée de dépôt au graphite général, au noir de jais, aux décorations bleues de la couleur etc. sur des pièces en métal, objets d'acier inoxydable. En particulier utilisé pour les produits de luxe de classe à extrémité élevé aimez : l'électronique : téléphone intelligent, caméra, ordinateur portable, golf, cuillère, fourchettes, couteau, poignée de porte, robinets ; bijoux des bagues, du collier, des boucles d'oreille, des bracelets etc.
Le système de pulvérisation de MF de décoration de graphite en métal a des sources multiples de dépôt :
Sources circulaires orientées d'arc pour l'évaporation de la cible solide en métal ;
2 paires de cathodes de pulvérisation unblanced par MF pour le dépôt de couche de la couche mince de graphite ;
Alimentation d'énergie polarisée pour que le bomboardment d'ion forme le secteur de plasma pour le traitement préparatoire ;
Unité linéaire de source d'ions d'anode (pour facultatif) traitement de PACVD et de PECVD ;
Cryopump (Polycold) pour la condensation moléculaire de l'eau (pour facultatif)
Que le MF pulvérise-t-il ?
Comparé au C.C et au rf pulvérisant, la fréquence médiane pulvérisant est devenue une technique principale de pulvérisation de la couche mince pour la production en série du revêtement, en particulier pour le dépôt de film des revêtements diélectriques et non-conducteurs de film sur des surfaces telles que les revêtements optiques, les panneaux solaires, les couches multiples, le film etc. de matériau composite.
Elle remplace la pulvérisation de rf due à elle a fonctionné avec le kilohertz plutôt que le mégahertz pour une vitesse de dépôt beaucoup plus rapide et peut également éviter l'empoisonnement de cible pendant le dépôt composé de la couche mince comme le C.C.
Les cibles de pulvérisation de MF ont toujours existé avec des deux-ensembles. Deux cathodes sont utilisées avec un courant à C.A. commuté dans les deux sens entre elles ce qui nettoie la surface de cible avec chaque inversion pour réduire l'accumulation de charge sur des diélectriques que cela mène à courber qui peut répandre des gouttelettes dans le plasma et empêcher la croissance uniforme de la couche mince--- est ce qui ce que nous avons appelé Target Poisoning.
Performances système de pulvérisation de MF
1. Pression finale de vide : améliorez que les torr 5.0×10-6.
2. Pression fonctionnante de vide : Torr 1.0×10-4.
3. Temps de Pumpingdown : de 1 atmosphère à 1.0×10-4 Torr≤ 3 minutes (la température ambiante, sèche, nettoient et vident la chambre)
4. Métallisation du matériel (pulvérisant + évaporation d'arc) : Ni, Cu, AG, Au, Ti, Zr, Cr, étain, tic, TiAlN, CrN, centre de détection et de contrôle, etc.
5. Modèle fonctionnant : Plein automatiquement /Semi-Auto/ manuellement
Structure de système de pulvérisation de MF
La machine de métallisation sous vide contient le système de clé accompli énuméré ci-dessous :
1. Puits à dépression
2. Système de pompage de vide de Rouhging (paquet de pompe de support)
3. Système de pompage de vide poussé (par magnétisme pompe moléculaire de suspension)
4. Système de commande électrique et d'opération
5. Système d'installation d'Auxiliarry (sous-système)
6. Système de dépôt : Cathode de pulvérisation de MF, alimentation d'énergie de MF, source d'ions polarisée d'alimentation d'énergie pour facultatif
Les tailles de système de pulvérisation de MF de décoration de graphite en métal :
Taille intérieure de chambre : Diamètre 1200 millimètre | 1600mm
Taille intérieure de chambre : 1250mm | 1300mm
Les tailles adaptées aux besoins du client de machine sont également disponibles basées sur une demande spéculaire des produits 3D.
Caractéristiques du système RTAC1250-SPMF de pulvérisation de MF
| MODÈLE | RTAC1250-SPMF | ||||||
| TECHNOLOGIE | Magnétron de MF pulvérisant + électrodéposition d'ion | ||||||
| MATÉRIEL | Acier inoxydable (S304) | ||||||
| TAILLE DE CHAMBRE | Φ1250*H1250mm | ||||||
| TYPE DE CHAMBRE | Cylindre, verticale, 1 porte | ||||||
| SYSTÈME DE PULVÉRISATION | Exclusivement conception pour le dépôt noir mince de film | ||||||
| MATÉRIEL DE DÉPÔT | Aluminium, argent, cuivre, Chrome, acier inoxydable, Nickel |
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| SOURCE DE DÉPÔT | 2 ensembles que la pulvérisation cylindrique de MF vise + 8 ont orienté des sources cathodiques d'arc + la source d'ions pour facultatif | ||||||
| GAZ | Manières de cpc 4, AR, N2, O2, C2H2 | ||||||
| CONTRÔLE | PLC (contrôleur programmable de logique) + | ||||||
| SYSTÈME DE POMPE | SV300B - 1 ensemble (Leybold) | ||||||
| WAU1001 - 1 place (Leybold) | |||||||
| D60T- 1 ensemble (Leybold) | |||||||
| Pompes moléculaires de Turbo : 2* F-400/3500 | |||||||
| TRAITEMENT PRÉPARATOIRE | Alimentation d'énergie polarisée : Kilowatt 1*36 | ||||||
| SYSTÈME DE SÛRETÉ | Contacts de sécurité nombreux pour protéger des opérateurs | ||||||
| REFROIDISSEMENT | Eau froide | ||||||
| PUISSANCE ÉLECTRIQUE | 480V/3 phases/60HZ (Etats-Unis conformes) | ||||||
| 460V/3 phases/50HZ (Asie conforme) | |||||||
| 380V/3 phases/50HZ (EU-CE conforme) | |||||||
| EMPREINTE DE PAS | L3000*W3000*H2000mm | ||||||
| POIDS TOTAL | 7,0 T | ||||||
| EMPREINTE DE PAS | (L*W*H) 5000*4000 *4000 MILLIMÈTRE | ||||||
| DURÉE DE CYCLE | 30~40 minutes (selon le matériel de substrat, la géométrie de substrat et conditions environnementales) |
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| MAXIMUM DE PUISSANCE. | 155 KILOWATTS | ||||||
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PUISSANCE MOYENNE CONSOMMATION (APPROXIMATIVEMENT) |
75 KILOWATTS |
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