Décorations de cuivre de bidon de la machine de revêtement du bidon PVD de carte/PVD plaquant sur le conseil en laiton
Le modèle de machine de PVD : RTSP1215-MF est conçu et développé pour déposer le revêtement d'or de bidon sur la carte de cuivre. La couche mince de bidon produite dans l'environnement de vide poussé, qui a fortement augmenté l'uniformité et la pureté.
Caractéristiques de conception de cuivre de machine de revêtement du bidon PVD de carte :
1. la chambre 8-sides avec l'égal classe les brides de support, qui peuvent se réunir et échanger la source d'ions et les cathodes de pulvérisation ou les cathodes d'arc flexiblely basées sur les processus de revêtement exigez.
2. Design compact qui occupent seulement 20sqm ;
3. La source d'ions pour le traitement préparatoire et le faisceau ionique de nettoyage de plasma a aidé le dépôt pour augmenter l'adhérence de film.
4. Le paquet élevé de vitesse de pompage et la configuration stable, par magnétisme les pompes moléculaires de suspension peuvent être montés dans n'importe quelle direction.
Caractéristiques de cuivre de machine de revêtement du bidon PVD de carte
Représentation
1. Pression finale de vide : améliorez que les torr 5.0×10-6.
2. Pression fonctionnante de vide : Torr 1.0×10-4.
3. Temps de Pumpingdown : de 1 atmosphère à 1.0×10-4 Torr≤ 3 minutes (la température ambiante, sèche, nettoient et vident la chambre)
4. Métallisation du matériel (pulvérisant + évaporation d'arc) : Ni, Cu, AG, Au, Ti, Zr, Cr etc.
5. Modèle fonctionnant : Plein automatiquement /Semi-Auto/ manuellement
Structure
La machine de métallisation sous vide contient le système de clé accompli énuméré ci-dessous :
1. Puits à dépression
2. Système de pompage de vide de Rouhging (paquet de pompe de support)
3. Système de pompage de vide poussé (par magnétisme pompe moléculaire de suspension)
4. Système de commande électrique et d'opération
5. Système d'installation d'Auxiliarry (sous-système)
6. Système de dépôt
| Données techniques de RTSP1215-MF | |||||||
| MODÈLE | RTSP1215-MF | ||||||
| TECHNOLOGIE | Magnétron pulvérisant (MF) | ||||||
| MATÉRIEL | Acier inoxydable (S304) | ||||||
| TAILLE DE CHAMBRE | Φ1200*H1500mm | ||||||
| TYPE DE CHAMBRE | 8-sides, verticale, 1 porte | ||||||
| SYSTÈME DE PULVÉRISATION | 4 cathodes planaires de pulvérisation d'ensembles | ||||||
| MATÉRIEL DE DÉPÔT | Aluminium, argent, cuivre, Chrome, acier inoxydable, nickel, titane, étain | ||||||
| SOURCE DE DÉPÔT | 4 cathodes planaires de pulvérisation + source d'ions pour le nettoyage de plasma | ||||||
| GAZ | Manières de cpc 2, AR, N2 | ||||||
| CONTRÔLE | PLC (contrôleur programmable de logique) + Écran tactile |
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| SYSTÈME DE POMPE | SV300B - 1 ensemble (Leybold) | ||||||
| WAU1001 - 1 place (Leybold) | |||||||
| D60T- 1 ensemble (Leybold) | |||||||
| MGK3304 - 2 ensembles (Osaka) | |||||||
| TRAITEMENT PRÉPARATOIRE | Alimentation d'énergie polarisée : Kilowatt 1*36 | ||||||
| SYSTÈME DE SÛRETÉ | Contacts de sécurité nombreux pour protéger des opérateurs et équipement |
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| REFROIDISSEMENT | Eau froide | ||||||
| PUISSANCE ÉLECTRIQUE | 480V/3 phases/60HZ (Etats-Unis conformes) | ||||||
| 460V/3 phases/50HZ (Asie conforme) | |||||||
| 380V/3 phases/50HZ (EU-CE conforme) | |||||||
| EMPREINTE DE PAS | L3000*W3000*H2000mm | ||||||
| POIDS TOTAL | 7,0 T | ||||||
| EMPREINTE DE PAS | (L*W*H) 5000*4000 *4000 MILLIMÈTRE | ||||||
| DURÉE DE CYCLE | 30~40 minutes (selon le matériel de substrat, la géométrie de substrat et conditions environnementales) |
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| MAXIMUM DE PUISSANCE. | 110KW | ||||||
| PUISSANCE MOYEN (APPROXIMATIVEMENT) | 50 KILOWATTS |
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Échantillon de cuivre de revêtement du bidon PVD de carte
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