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Système de pulvérisation de la machine de revêtement de pulvérisation de magnétron de fréquence médiane/MF  

La métallisation sous vide de pulvérisation de magnétron est un type de menthod de préparation de surface d'électrodéposition d'ion de PVD. Elle peut être employée pour la production des films de conduite ou non de conduite, sur beaucoup de types matériaux : métaux, verre, en céramique, en plastique, alliage en métal. Le concept de dépôt de pulvérisation : le matériel de revêtement (cible, également appelée cathode) et les morceaux de travail (substrats, également appelés l'anode) sont placés dans le puits à dépression et la pression est réduit. La pulvérisation est lancée en plaçant la cible sous une tension differintial et en présentant le gaz d'argon qui forment des ions d'argon (décharge luminescente). Les ions d'argon accélèrent vers la cible de processus et déplacent des atomes de cible. Ces atomes de pulvérisation sont alors condensés sur le substrat et forment la couche très mince et élevée d'uniformité. De diverses couleurs peuvent être réalisées en présentant les gaz réactifs comme, l'azote, l'oxgen, ou l'acétylène dans les gass de pulvérisation pendant le processus de revêtement.

Modèles de pulvérisation de magnétron : C.C pulvérisant, MF pulvérisant, pulvérisation de rf

Que le MF pulvérise-t-il ?

Comparé au C.C et au rf pulvérisant, la fréquence médiane pulvérisant est devenue une technique principale de pulvérisation de la couche mince pour la production en série du revêtement, en particulier pour le dépôt de film des revêtements diélectriques et non-conducteurs de film sur des surfaces telles que les revêtements optiques, les panneaux solaires, les couches multiples, le film etc. de matériau composite.

Elle remplace la pulvérisation de rf due à elle a fonctionné avec le kilohertz plutôt que le mégahertz pour une vitesse de dépôt beaucoup plus rapide et peut également éviter l'empoisonnement de cible pendant le dépôt composé de la couche mince comme le C.C.

Les cibles de pulvérisation de MF ont toujours existé avec des deux-ensembles. Deux cathodes sont utilisées avec un courant à C.A. commuté dans les deux sens entre elles ce qui nettoie la surface de cible avec chaque inversion pour réduire l'accumulation de charge sur des diélectriques que cela mène à courber qui peut répandre des gouttelettes dans le plasma et empêcher la croissance uniforme de la couche mince--- est ce qui ce que nous avons appelé Target Poisoning.

Performances système de pulvérisation de MF

1. Pression finale de vide : améliorez que les torr 5.0×10-6.

2. Pression fonctionnante de vide : Torr 1.0×10-4.

3. Temps de Pumpingdown : de 1 atmosphère à 1.0×10-4 Torr≤ 3 minutes (la température ambiante, sèche, nettoient et vident la chambre)

4. Métallisation du matériel (pulvérisant + évaporation d'arc) : Ni, Cu, AG, Au, Ti, Zr, Cr, étain, tic, TiAlN, CrN, centre de détection et de contrôle, etc.

5. Modèle fonctionnant : Plein automatiquement /Semi-Auto/ manuellement

Structure de système de pulvérisation de MF

La machine de métallisation sous vide contient le système de clé accompli énuméré ci-dessous :

1. Puits à dépression

2. Système de pompage de vide de Rouhging (paquet de pompe de support)

3. Système de pompage de vide poussé (par magnétisme pompe moléculaire de suspension)

4. Système de commande électrique et d'opération

5. Système d'installation d'Auxiliarry (sous-système)

6. Système de dépôt : Cathode de pulvérisation de MF, alimentation d'énergie de MF, source d'ions polarisée d'alimentation d'énergie pour facultatif

Caractéristiques du système RTSP1212-MF de pulvérisation de MF

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